STFW3N170 Preise (USD) [18665Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STFW3N170
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1700V 2.6A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STFW3N170 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STFW3N170
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
Serie :
PowerMESH™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISOWATT-218FX
Paket / fall :
ISOWATT218FX
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