ON Semiconductor - FGH20N6S2D

KEY Part #: K6424427

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    Artikelnummer:
    FGH20N6S2D
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 600V 28A 125W TO247.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FGH20N6S2D elektronische Komponenten. FGH20N6S2D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FGH20N6S2D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FGH20N6S2D Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FGH20N6S2D
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : IGBT 600V 28A 125W TO247
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : -
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 28A
    Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 40A
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 7A
    Leistung max : 125W
    Energie wechseln : 25µJ (on), 58µJ (off)
    Eingabetyp : Standard
    Gate Charge : 30nC
    Td (ein / aus) bei 25 ° C : 7.7ns/87ns
    Testbedingung : 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : 31ns
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-247-3
    Supplier Device Package : TO-247-3