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- Artikelnummer:
- STU10NM65N
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 9A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STU10NM65N elektronische Komponenten. STU10NM65N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STU10NM65N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STU10NM65N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STU10NM65N
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Serie :
MDmesh™ II
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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