BUK6E4R0-75C,127 Preise (USD) [12447Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK6E4R0-75C,127
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BUK6E4R0-75C,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK6E4R0-75C,127
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
234nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15450pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
306W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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