LSIC1MO170E1000 Preise (USD) [12469Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- LSIC1MO170E1000
- Hersteller:
- Littelfuse Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000 elektronische Komponenten. LSIC1MO170E1000 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu LSIC1MO170E1000 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
LSIC1MO170E1000 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
LSIC1MO170E1000
Hersteller :
Littelfuse Inc.
Beschreibung :
MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 20V
Vgs (Max) :
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 1000V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
54W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3L
Paket / fall :
TO-247-3
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