IXYS - IXTK120N65X2

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IXTK120N65X2 Preise (USD) [5259Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTK120N65X2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTK120N65X2 elektronische Komponenten. IXTK120N65X2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTK120N65X2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK120N65X2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTK120N65X2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-264 (IXTK)
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA

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