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- Artikelnummer:
- IRF7342D2TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF7342D2TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7342D2TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
690pF @ 25V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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