Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT50TP120N

KEY Part #: K6533285

VS-GT50TP120N Preise (USD) [1278Stück Lager]

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Artikelnummer:
VS-GT50TP120N
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT50TP120N Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GT50TP120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : 405W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 6.24nF @ 30V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package : INT-A-PAK

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