IPB042N10N3GE8187ATMA1 Preise (USD) [61829Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB042N10N3GE8187ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1 elektronische Komponenten. IPB042N10N3GE8187ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB042N10N3GE8187ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8410pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
214W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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