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ON Semiconductor - FDMC8200S_F106

KEY Part #: K6523765

[4664Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDMC8200S_F106
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs and Transistoren - spezieller Zweck ...
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    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMC8200S_F106 elektronische Komponenten. FDMC8200S_F106 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMC8200S_F106 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDMC8200S_F106 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDMC8200S_F106
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A, 8.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
    Leistung max : 700mW, 1W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-PowerWDFN
    Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)

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