SQ3585EV-T1_GE3 Preise (USD) [49543Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQ3585EV-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQ3585EV-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQ3585EV-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQ3585EV-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQ3585EV-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQ3585EV-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.67W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
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