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- Artikelnummer:
- IRFH7911TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH7911TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH7911TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 15V
Leistung max :
2.4W, 3.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
18-PowerVQFN
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
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