Nexperia USA Inc. - PSMN2R8-80BS,118

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Artikelnummer:
PSMN2R8-80BS,118
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN2R8-80BS,118 Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSMN2R8-80BS,118
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9961pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 306W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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