IXTT3N200P3HV Preise (USD) [2527Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTT3N200P3HV
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTT3N200P3HV elektronische Komponenten. IXTT3N200P3HV kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTT3N200P3HV haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTT3N200P3HV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTT3N200P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
520W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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