SCT10N120 Preise (USD) [7552Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT10N120
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SCT10N120 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT10N120
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
HiP247™
Paket / fall :
TO-247-3
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