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- Artikelnummer:
- SI1450DH-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1450DH-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI1450DH-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1450DH-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI1450DH-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI1450DH-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.53A (Ta), 6.04A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.05nC @ 5V
Vgs (Max) :
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
535pF @ 4V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.56W (Ta), 2.78W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-70-6 (SOT-363)
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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