STP15N60M2-EP Preise (USD) [36107Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STP15N60M2-EP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STP15N60M2-EP Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STP15N60M2-EP
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
Serie :
MDmesh™ M2-EP
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
378 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
590pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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