Vishay Siliconix - SI3493BDV-T1-E3

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Artikelnummer:
SI3493BDV-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3493BDV-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI3493BDV-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1805pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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