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ON Semiconductor - NVMFD5853NWFT1G

KEY Part #: K6523727

NVMFD5853NWFT1G Preise (USD) [4069Stück Lager]

  • 1,500 pcs$0.32048
Artikelnummer:
NVMFD5853NWFT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
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Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFD5853NWFT1G elektronische Komponenten. NVMFD5853NWFT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFD5853NWFT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5853NWFT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMFD5853NWFT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1225pF @ 25V
Leistung max : 3.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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