Vishay Siliconix - SIA975DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525426

SIA975DJ-T1-GE3 Preise (USD) [340585Stück Lager]

  • 1 pcs$0.10860
  • 3,000 pcs$0.10219

Artikelnummer:
SIA975DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIA975DJ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIA975DJ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIA975DJ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA975DJ-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIA975DJ-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 6V
Leistung max : 7.8W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual