Vishay Siliconix - SIA917DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524228

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    Artikelnummer:
    SIA917DJ-T1-GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIA917DJ-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIA917DJ-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIA917DJ-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIA917DJ-T1-GE3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SIA917DJ-T1-GE3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V
    Leistung max : 6.5W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
    Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual

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