QS8J12TCR Preise (USD) [307130Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- QS8J12TCR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor QS8J12TCR elektronische Komponenten. QS8J12TCR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu QS8J12TCR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
QS8J12TCR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
QS8J12TCR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 6V
Leistung max :
550mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
TSMT8
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