Vishay Siliconix - SIZ910DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523926

SIZ910DT-T1-GE3 Preise (USD) [4002Stück Lager]

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Artikelnummer:
SIZ910DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ910DT-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SIZ910DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V
Leistung max : 48W, 100W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PowerPair® (6x5)

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