IXFT18N90P Preise (USD) [10912Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT18N90P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 18A TO268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT18N90P elektronische Komponenten. IXFT18N90P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT18N90P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT18N90P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT18N90P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
97nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5230pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
540W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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