STMicroelectronics - STD9N80K5

KEY Part #: K6418900

STD9N80K5 Preise (USD) [82107Stück Lager]

  • 1 pcs$0.47622
  • 2,500 pcs$0.42220

Artikelnummer:
STD9N80K5
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STD9N80K5 elektronische Komponenten. STD9N80K5 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STD9N80K5 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD9N80K5 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STD9N80K5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Serie : MDmesh™ K5
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63