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- Artikelnummer:
- IDP40E65D2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
- Hongkong
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IDP40E65D2XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDP40E65D2XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
40A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.3V @ 40A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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