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Microsemi Corporation - APTC90H12T2G

KEY Part #: K6523810

[4041Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTC90H12T2G
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTC90H12T2G elektronische Komponenten. APTC90H12T2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTC90H12T2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC90H12T2G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTC90H12T2G
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
    Serie : CoolMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
    FET-Funktion : Super Junction
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 26A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 100V
    Leistung max : 250W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP2
    Supplier Device Package : SP2

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