BUK969R3-100E,118 Preise (USD) [100305Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK969R3-100E,118
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK969R3-100E,118 elektronische Komponenten. BUK969R3-100E,118 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK969R3-100E,118 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK969R3-100E,118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK969R3-100E,118
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
94.3nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11650pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
263W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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