Artikelnummer :
TK25E06K3,S1X(S
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 12.5A, 10V
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3