Toshiba Semiconductor and Storage - TK25E06K3,S1X(S

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Artikelnummer:
TK25E06K3,S1X(S
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25E06K3,S1X(S Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK25E06K3,S1X(S
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Serie : U-MOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3