IXRFSM12N100 Preise (USD) [3782Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXRFSM12N100
- Hersteller:
- IXYS-RF
- Detaillierte Beschreibung:
- 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS-RF IXRFSM12N100 elektronische Komponenten. IXRFSM12N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXRFSM12N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXRFSM12N100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXRFSM12N100
Hersteller :
IXYS-RF
Beschreibung :
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Serie :
SMPD
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2875pF @ 800V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
940W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
16-SMPD
Paket / fall :
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
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