TK7J90E,S1E Preise (USD) [34636Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK7J90E,S1E
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V TO-3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK7J90E,S1E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK7J90E,S1E
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Serie :
π-MOSVIII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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