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- Artikelnummer:
- ZXM66P03N8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXM66P03N8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXM66P03N8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1979pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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