SIZF920DT-T1-GE3 Preise (USD) [102903Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZF920DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZF920DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZF920DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZF920DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZF920DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Leistung max :
3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (6x5)
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