SIZ728DT-T1-GE3 Preise (USD) [132001Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ728DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ728DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ728DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ728DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ728DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ728DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 12.5V
Leistung max :
27W, 48W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-PowerPair™
Supplier Device Package :
6-PowerPair™
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