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- Artikelnummer:
- IRF620
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 6A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF620 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF620
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
Serie :
PowerMESH™ II
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
70W (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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