Infineon Technologies - IRLI520NPBF

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Artikelnummer:
IRLI520NPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLI520NPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLI520NPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB Full-Pak
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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