Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N48FU,RF(D

KEY Part #: K6523373

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    Artikelnummer:
    SSM6N48FU,RF(D
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 30V 0.1A.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D elektronische Komponenten. SSM6N48FU,RF(D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SSM6N48FU,RF(D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM6N48FU,RF(D Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SSM6N48FU,RF(D
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15.1pF @ 3V
    Leistung max : 300mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Supplier Device Package : US6