Infineon Technologies - IRF7464

KEY Part #: K6414646

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    Artikelnummer:
    IRF7464
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7464 elektronische Komponenten. IRF7464 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7464 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7464 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF7464
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 720mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SO
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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