Rohm Semiconductor - RSD200N10TL

KEY Part #: K6407657

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    Artikelnummer:
    RSD200N10TL
    Hersteller:
    Rohm Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 20A CPT3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RSD200N10TL elektronische Komponenten. RSD200N10TL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RSD200N10TL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RSD200N10TL Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RSD200N10TL
    Hersteller : Rohm Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : CPT3
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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