IXYS - IXFT13N100

KEY Part #: K6412398

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    Artikelnummer:
    IXFT13N100
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT13N100 elektronische Komponenten. IXFT13N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT13N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFT13N100 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFT13N100
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
    Serie : HiPerFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
    Betriebstemperatur : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-268
    Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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