Vishay Semiconductor Diodes Division - S1DHE3_A/H

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Artikelnummer:
S1DHE3_A/H
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 200V 40A@8.3ms Single Die Auto
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1DHE3_A/H Produkteigenschaften

Artikelnummer : S1DHE3_A/H
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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