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- Artikelnummer:
- FCD4N60TF
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCD4N60TF elektronische Komponenten. FCD4N60TF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCD4N60TF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FCD4N60TF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCD4N60TF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Serie :
SuperFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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