SIS892DN-T1-GE3 Preise (USD) [123967Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIS892DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIS892DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIS892DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIS892DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIS892DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
611pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
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