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- Artikelnummer:
- IRF6668TR1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRF6668TR1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6668TR1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1320pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MZ
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MZ
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