IPD85P04P4L06ATMA1 Preise (USD) [161597Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD85P04P4L06ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD85P04P4L06ATMA1 elektronische Komponenten. IPD85P04P4L06ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD85P04P4L06ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD85P04P4L06ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD85P04P4L06ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6580pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
88W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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