Vishay Siliconix - SI8810EDB-T2-E1

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Artikelnummer:
SI8810EDB-T2-E1
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI8810EDB-T2-E1 elektronische Komponenten. SI8810EDB-T2-E1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI8810EDB-T2-E1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8810EDB-T2-E1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI8810EDB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 245pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-Microfoot
Paket / fall : 4-XFBGA

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