Artikelnummer :
SI8810EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot