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- Artikelnummer:
- FDFMA2P853T
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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FDFMA2P853T Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDFMA2P853T
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
435pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MicroFET 2x2 Thin
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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