IRFS59N10DPBF Preise (USD) [13603Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFS59N10DPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IRFS59N10DPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFS59N10DPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2450pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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