IPD30N06S2L23ATMA3 Preise (USD) [217041Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD30N06S2L23ATMA3 elektronische Komponenten. IPD30N06S2L23ATMA3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD30N06S2L23ATMA3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD30N06S2L23ATMA3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD30N06S2L23ATMA3
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1091pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-11
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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