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- Artikelnummer:
- FDFS2P102A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDFS2P102A elektronische Komponenten. FDFS2P102A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDFS2P102A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDFS2P102A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDFS2P102A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
182pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
900mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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